သတင်း

အထူးအသားပေး ထုတ်ကုန်များ

အတတ်ပညာ ဗဟုသုတ

ချစ်ပ်ဘယ်လိုအလုပ်လုပ်သလဲ။

2021-09-13

၎င်းသည် အတွင်းတွင် ထရန်စစ္စတာ ဆယ်ဂဏန်း သို့မဟုတ် ဆယ်နှင့်ချီသော ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသော ချစ်ပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့် ချဲ့ကြည့်သောအခါ အတွင်းပိုင်းသည် မြို့တစ်မြို့ကဲ့သို့ ရှုပ်ထွေးနေသည်ကို တွေ့နိုင်သည်။ ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းသည် အသေးစား အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာ သို့မဟုတ် အစိတ်အပိုင်း တစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ဝိုင်ယာကြိုးများနှင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုနှင့်အတူ၊ တည်ဆောက်ပုံအရ အနီးကပ်ချိတ်ဆက်ပြီး အတွင်းပိုင်းဆက်နွယ်သော အီလက်ထရွန်နစ်ဆားကစ်များကို ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ရန်အတွက် အသေးစား သို့မဟုတ် အများအပြားသေးငယ်သော semiconductor wafers သို့မဟုတ် dielectric substrates ပေါ်တွင် ဖန်တီးခဲ့သည်။ အခြေခံအကျဆုံး ဗို့အားပိုင်းခြားသည့် ဆားကစ်ကို ဥပမာတစ်ခုအနေဖြင့် ၎င်းသည် ချစ်ပ်အတွင်း၌ အကျိုးသက်ရောက်ပုံကို သိရှိပြီး ထုတ်ပေးပုံဖြစ်သည်ကို ဥပမာတစ်ခုအနေနှင့် ကြည့်ကြပါစို့။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာနည်းပညာကြောင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းများကို သေးငယ်အောင်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ဆီလီကွန်စစ်စစ်သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ လျှပ်စစ်ဓာတ်အား သယ်ဆောင်နိုင်စွမ်းသည် insulator များထက် ပိုဆိုးသော်လည်း သတ္တုများကဲ့သို့ ကောင်းမွန်ခြင်းမရှိပါ။ ထို့ကြောင့် မိုဘိုင်းအားသွင်းမှု နည်းပါးခြင်းသည် ဆီလီကွန်ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် ဖြစ်စေသည်။ ဒါပေမယ့် chip work-doping အတွက် လျှို့ဝှက်လက်နက်က မရှိမဖြစ်ပါ။ ဆီလီကွန်၊ P-type နှင့် N-type အတွက် doping အမျိုးအစား နှစ်မျိုးရှိသည်။ N-type ဆီလီကွန်သည် အီလက်ထရွန်များဖြင့် လျှပ်စစ်ကို သယ်ဆောင်သည် (အီလက်ထရွန်များကို အနှုတ်လက္ခဏာဆောင်သည်)၊ P-type ဆီလီကွန်သည် အပေါက်များ ( positively charged holes အများအပြား) ဖြင့် လျှပ်စစ်ကို သယ်ဆောင်သည်။ လျှပ်စီးကြောင်းပိုင်းခြားသည့်ပတ်လမ်းရှိ ခလုတ်သည် ချစ်ပ်ရှိပုံသဏ္ဌာန်နှင့် မည်သို့အလုပ်လုပ်သနည်း။

ပေါင်းစည်းထားသော circuit အတွင်းရှိ switch function သည် အီလက်ထရွန်းနစ် switch တစ်မျိုးဖြစ်သည့် transistor body ဖြစ်သည်။ အများအားဖြင့် MOS tube သည် MOS tube ဖြစ်ပြီး MOS tube ကို P-type silicon substrate ပေါ်ရှိ N-type နှင့် P-type semiconductors များဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ N-type ဆီလီကွန် ဒေသနှစ်ခုကို ဖန်တီးထားသည်။ ဤ N-type silicon ဒေသနှစ်ခုသည် MOS tube ၏အရင်းအမြစ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် Drain electrode တို့ဖြစ်သည်။ ထို့နောက် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်း၏ အလယ်ဧရိယာအထက်တွင် ဖန်တီးကာ၊ ထို့နောက် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို ဖုံးအုပ်ထားသည်။ စပယ်ယာအလွှာ၊ ဤစပယ်ယာအလွှာသည် MOS ပြွန်၏ GATE တိုင်ဖြစ်သည်။ P-type material တွင် hole အများအပြားရှိပြီး အီလက်ထရွန်အနည်းငယ်သာ ပါရှိပြီး hole များသည် positive charge ဖြစ်သည့်အတွက်ကြောင့် ဤဧရိယာ၏ အစိတ်အပိုင်းရှိ positive charge hole များသည် လွှမ်းမိုးနေပြီး၊ အနုတ်လက္ခဏာရှိသော electron အရေအတွက် အနည်းငယ်ပါရှိသည်၊ N-type area သည် အနှုတ်လက္ခဏာဖြင့် အားသွင်းသည်။ အီလက်ထရွန်းနစ်တွေ ကြီးစိုးတယ်။

faucet ၏ ဥပမာကို သုံးကြည့်ရအောင်။ ညာဘက်ဆုံးက Source ပါ။ ရေထွက်ရာအရပ်ကို အရင်းအမြစ်ဟုခေါ်သည်။ အလယ်တွင် တံခါးသည် ရေပိုက်ပေါက်နှင့် ညီမျှသော တံခါးဖြစ်သည်။ လက်ဝဲဘက်ရှိ မြောင်းသည် ရေများယိုစိမ့်သောနေရာဖြစ်သည်။ ရေစီးဆင်းမှုကဲ့သို့ပင် အီလက်ထရွန်များသည် အရင်းအမြစ်မှ မြောင်းဆီသို့ စီးဆင်းသည်။ ထို့နောက် P material သည် အလယ်တွင် အတားအဆီးတစ်ခုရှိသည်။ P material တွင် positively charged hole အများအပြားရှိပြီး အီလက်ထရွန်များသည် holes များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။ ပျက်ပြယ်သွားပြီး မဖြတ်နိုင်ပါ။ ဒါဆို ငါတို့ ဘာလုပ်သင့်လဲ။ P-type ပစ္စည်းရှိ အနုတ်လက္ခဏာအားသွင်းထားသော အီလက်ထရွန်များကို ဆွဲဆောင်ရန်အတွက် အပြုသဘောဆောင်သောအားကို ဇယားကွက်တွင် ထည့်နိုင်သည်။ P-type material တွင် အီလက်ထရွန်များစွာမပါဝင်သော်လည်း၊ grid သို့ positive charge ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် အချို့သော electron များကို channel တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် ဆွဲဆောင်နိုင်သေးသည်။ အီလက်ထရွန်က ဖြတ်သွားတယ်။ အနှစ်ချုပ်မှာ အရင်းအမြစ်သည် အီလက်ထရွန်များ၏ အရင်းအမြစ်ဖြစ်ပြီး၊ မြောင်းထဲသို့ အီလက်ထရွန်များ ဆက်တိုက်စီးဆင်းရန် ပံ့ပိုးပေးသော်လည်း ၎င်းတို့သည် ဂရစ်ဒ်မှတဆင့် ဖြတ်သန်းနိုင်မလား။ ဂရစ်သည် MOS tube ၏ အဖွင့်အပိတ်ကို ထိန်းချုပ်သည့် အဆို့ရှင်၊ ခလုတ်တစ်ခုနှင့် တူသည်။ ဤသည်မှာ အီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်တစ်ခုအနေဖြင့် MOS tube ၏နိယာမဖြစ်သည်။

ယခု အီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်ကို သိပြီးဖြစ်၍ ခံနိုင်ရည်အား အကောင်အထည်ဖော်မှုကို ကြည့်ကြပါစို့။ ပထမဦးစွာ၊ P-type ဆီလီကွန်အလွှာပေါ်တွင် N-type ဧရိယာတစ်ခုပြုလုပ်ပါ၊ ထို့နောက် N-type ဧရိယာ၏အစွန်းနှစ်ဘက်သို့ပို့ဆောင်ရန် သတ္တုကိုအသုံးပြုပါ၊ ထို့ကြောင့် N1 နှင့် N2 သည် resistor နှစ်ခုဖြစ်လာစေရန်။ ဤသည်မှာ အဆုံးဖြစ်သည်၊ ထို့ကြောင့် ဗို့အားပိုင်းခြားသည့် circuit ၏ ပေါင်းစပ် circuit သည် circuit ၏ ချိတ်ဆက်မှု ဆက်စပ်မှုအရ ကျွန်ုပ်တို့ပြောသော MOS tube နှင့် resistor ကို ဆက်သွယ်ရန် သတ္တုကို အသုံးပြုရန် ဖြစ်သည်။

အရင်:

Polarization-ထိန်းသိမ်းထားသောဖိုင်ဘာ

နောက်တစ်ခု:

ရှာဖွေတွေ့ရှိပြီးနောက် ရာစုနှစ်တစ်ခုတွင် လူသားများသည် excitons ၏ အီလက်ထရွန်ပတ်လမ်းကို ပထမဆုံးအကြိမ် ဖမ်းယူနိုင်ခဲ့သည်။

သတင်း

အထူးအသားပေး ထုတ်ကုန်များ

1064nm Ytterbium-doped Fiber Amplifier YDFA

Manual Fiber Polarization Controllers

850nm 10mW Superluminescent Diode sld diode

CH4 အာရုံခံမှုအတွက် 1653nm DFB လေဆာဒိုင်အိုဒိတ်

ချစ်ပ်ဘယ်လိုအလုပ်လုပ်သလဲ။

အရင်:

နောက်တစ်ခု: